国家知识产权局信息数据显现，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司请求一项名为“半导体结构及其构成办法”的专利，揭露号CN121218719A，请求日期为2024年6月。

  专利摘要显现，本请求供给半导体结构及其构成办法，所述半导体结构包含：基底，所述基底标明发生有榜首波导以及掩盖所述基底和榜首波导的包覆层，所述榜首波导的两边中构成有榜首轻掺杂区和第二轻掺杂区；榜首介质层，坐落所述包覆层外表；外延层，坐落所述榜首介质层、部分所述榜首波导、部分所述榜首轻掺杂区和第二轻掺杂区中；第三重掺杂区，坐落部分外延层中；第四重掺杂区，坐落部分外延层中，与第三重掺杂区相对；若干第五重掺杂区，坐落接近所述第三重掺杂区的外延层外表；若干第六重掺杂区，坐落接近所述第四重掺杂区的外延层外表，所述若干第五重掺杂区和若干第六重掺杂区构成交趾结构。本请求能够在不改动锗探测器呼应度的一起提高带宽。

  天眼查资料显现，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，坐落北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。经过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目22次，产业线条，此外企业还具有行政许可125个。

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